„Diese Akquisition wird uns dabei helfen, unser exzellentes Portfolio auch bei dem neuen Material Siliziumkarbid auszubauen. Unser Systemverständnis sowie einzigartiges Know-how bei der Dünnwafer-Technologie werden ideal durch die Cold Split-Technologie und die Innovationskraft von Siltectra ergänzt“, sagt Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender von Infineon. „Die höhere Verfügbarkeit von SiC-Wafern dank der Cold Split-Technologie wird das Hochfahren unserer SiC-Produkte gerade mit Blick auf den weiteren Ausbau der erneuerbaren Energien und den zunehmenden Einsatz von SiC im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen deutlich erleichtern.“

Dr. Jan Richter, CTO von Siltectra: „Wir freuen uns sehr darüber, jetzt im Team des globalen Marktführers für Leistungshalbleiter zu sein. Nachdem wir gezeigt haben, dass unsere Cold Split-Technologie bei Infineon verwendet werden kann, arbeiten wir nun gemeinsam an der Einführung in die Serienfertigung.“

Michael Motschmann, General Partner der die MIG Fonds verwaltenden MIG AG, sagt: „Wir haben seit unserem Einstieg bei Siltectra vor mehr als acht Jahren immer an die Cold Split-Technologie und an das großartige Team geglaubt. Dass wir mit Infineon einen Käufer gefunden haben, der sowohl technologisch als auch kulturell ideal zu Siltectra passt, freut uns besonders. Dass wir mit unserer Investition dabei geholfen haben, den Wirtschaftsstandort Deutschland zu stärken, macht uns außerdem stolz.”

Siltectra wurde 2010 gegründet und verfügt über ein Patentportfolio mit mehr als 50 Patentfamilien. Das Start-up hat ein Verfahren entwickelt, mit dem kristalline Materialen im Vergleich zur üblichen Sägetechnik mit minimalen Materialverlusten gesplittet werden können. Diese Technologie kann auch beim Halbleitermaterial SiC angewendet werden, für das in den kommenden Jahren mit einer stark steigenden Nachfrage gerechnet wird. SiC-basierte Produkte werden heute zum Beispiel bereits in besonders effizienten und kompakten Fotovoltaikumrichtern verwendet. In Zukunft wird SiC gerade bei der Elektromobilität eine wachsende Rolle spielen. Die Weiterentwicklung der Cold Split-Technologie wird am bisherigen Siltectra-Standort in Dresden und am österreichischen Infineon-Standort Villach erfolgen. Die Anwendung im industriellen Maßstab wird innerhalb der nächsten fünf Jahre erwartet.

Infineon verfügt über das größte Produktportfolio für Leistungshalbleiter auf Basis von Silizium und der innovativen Substratmaterialen Siliziumkarbid und Galliumnitrid. Es ist das einzige Unternehmen, das weltweit bereits Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Siliziumdünnwafern im industriellen Maßstab fertigt, und ist mit dieser Erfahrung bestens dafür positioniert, die Dünnwafer-Technik auch auf SiC zu übertragen. Ziel ist es, mit Hilfe der Cold Split-Technologie, die Versorgung mit SiC-Produkten auf längere Sicht zu gewährleisten. Weitere Anwendungen der Cold Split-Technologie sind ebenfalls künftig möglich, zum Beispiel das Splitten von Rohlingen oder von anderen Materialen als Siliziumkarbid. 
Die Infineon Technologies Dresden GmbH ist einer der größten und modernsten Fertigungs- und Technologieentwicklungs-Standorte der Infineon AG. Seit 1994 wurden über 3 Mrd. Euro am Standort Dresden investiert, davon floss 1 Milliarde Euro in den letzten zehn Jahren in die heute weltweit hochautomatiserteste 200-mm-Fertigung und in den Aufbau der ersten 300-mm-Hochvolumenproduktion für Leistungshalbleiter der Welt.